自从上个世纪50年代首次发现GaAs材料具有光伏效应后，很快引起了科学界的注意。当时在理论上已经证明，带隙为Eg=1.4~1.6eV的材料，光电转换效率最高。而GaAs复材料的带隙Eg=1.43eV，恰好能够取得很高的转换效率。Jenny等首次制成 GaAs太阳电池 ,其效率为6.5%。60 年代 Gobat 等研制了第 1 个掺锌 GaAs 太阳电池 ,但转换效率仅为9 %～ 10 %, 远低于
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17 2019-11-25 16:55:35周浪教授-光氢储充离网独立充电系统理念与实践OFweek2019
美国的阿尔塔设备公司使用外延层剥离技术，用砷化镓制造出了最高转化效率达28.4%的薄膜太阳能电池。
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计算机拉制砷化镓单晶的数学模型及其最佳控制
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双结砷化镓太阳能电池(GaAs)
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GaN系半导体材料是继硅与砷化镓之后的第三代半导体材料，GaN基蓝、绿光发光二极管已技术成熟并投放市场，在光显示上的应用已使颜色逼真的全色显示屏发出绚丽的光彩。
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GaAs(砷化镓)太阳能电池详解及特性研究
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红外线发光二极管由红外辐射效率高的材料（常用砷化镓GaAs）制成PN 结，外加正向偏压向PN结注入电流激发红外光。光谱功率分布为中心波长830～950nm，半峰带宽约40nm 左右。
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砷化镓是半导体材料中,兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生长理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。
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介绍了砷化镓 ( GaAs) 太阳电池的特点 , 并比较了液相外延 (LPE) 和金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 两种外延生长技术。
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砷化镓太阳能电池的市场需求发展很快，在北京、上海等地销售持续增长。由于砷化镓太阳能电池原料获取成本较高，制造工艺也比普通砷化镓太阳能电池更为讲究
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就世界的角度来说，砷化镓电池主要还是应用在宇宙空间探测利用等方面，在地面使用较少
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集成电路(Integrated Circuit， 通常简称IC) ，又称为集成电路。是指将很多微电子器件集成在芯片上的一种高级微电子器件。通常使用硅为基础材料，在上面通过扩散或渗透技术形成N型和P型半导体及P-N结。实验室中也有以砷化镓为基材的芯片，性能远超硅芯片，但是不易量产，价格过高。
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砷化镓太阳能电池的实际应用
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用所设计的2m2槽式聚光热电联供系统，对晶硅阵列和砷化镓电池阵列进行性能测试实验，结果表明：砷化镓电池阵列的聚光特性优于晶硅电池阵列。优选出一定聚光比作用下性能较好的砷化镓电池阵列建立10lIf槽式太阳能聚光热电系统。
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6V砷化镓 电池 用于光电能量转换模块中，它通过光纤连接到激光发射模块，可以工作在不适合弱电直接供电的区域内，进行远距离，高效率的电力输送，满足远程弱电设备对供电电源以及控制信号的需求。
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